Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD082N10N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,83

(excl. BTW)

€ 13,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 30 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 4.580 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,083€ 10,83
50 - 90€ 1,028€ 10,28
100 - 240€ 0,985€ 9,85
250 - 490€ 0,941€ 9,41
500 +€ 0,878€ 8,78

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-9029
Fabrikantnummer:
IPD082N10N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit). Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Potential Applications includes Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters etc.

It has 175 °C operating temperature

Qualified according to JEDEC for target applications

Gerelateerde Links