Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 75 eenheden)*

€ 58,50

(excl. BTW)

€ 70,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.425 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
75 +€ 0,78€ 58,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-9109
Fabrikantnummer:
IPS80R900P7AKMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS P7

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.7mm

Height

6.22mm

Width

2.35 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are Easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Gerelateerde Links