Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R900P7AKMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 15,075

(excl. BTW)

€ 18,24

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.455 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 1,005€ 15,08
75 - 135€ 0,955€ 14,33
150 - 360€ 0,914€ 13,71
375 - 735€ 0,875€ 13,13
750 +€ 0,813€ 12,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-9110
Fabrikantnummer:
IPS80R900P7AKMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

2.35 mm

Height

6.22mm

Length

6.7mm

Automotive Standard

No

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are Easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Gerelateerde Links