Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R050G7XTMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 13,07

(excl. BTW)

€ 15,814

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 486 stuk(s) vanaf 02 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 6,535€ 13,07

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-2556
Fabrikantnummer:
IPT60R050G7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

44A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

CoolMOS P7

Package Type

HSOF

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

50mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon Cool MOS™ C7 Gold super junction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V Cool MOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G

Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

Gerelateerde Links