Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.103,00

(excl. BTW)

€ 2.544,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 08 maart 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,701€ 2.103,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4399
Fabrikantnummer:
IPL60R365P7AUMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

365mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Power Dissipation Pd

46W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Length

8.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.