Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R1K5CEAUMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 24,60

(excl. BTW)

€ 29,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 2.500 stuk(s) vanaf 19 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,492€ 24,60
100 - 200€ 0,384€ 19,20
250 - 450€ 0,359€ 17,95
500 - 1200€ 0,335€ 16,75
1250 +€ 0,31€ 15,50

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
217-2521
Fabrikantnummer:
IPD60R1K5CEAUMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

49W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

Gerelateerde Links