Infineon IPD N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.317,50

(excl. BTW)

€ 1.595,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,527€ 1.317,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2531
Fabrikantnummer:
IPD80R2K7C3AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.22mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Automotive AEC Q101 qualified

Green package (RoHS compliant)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.