Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K7C3AATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 16,74

(excl. BTW)

€ 20,26

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.620 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,837€ 16,74

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
217-2532
Fabrikantnummer:
IPD80R2K7C3AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Automotive AEC Q101 qualified

Green package (RoHS compliant)

Gerelateerde Links