Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 870,00

(excl. BTW)

€ 1.050,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,29€ 870,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2542
Fabrikantnummer:
IPN60R360P7SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-223

Series

IPN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

111W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

8.8 mm

Height

1.1mm

Length

8.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.

Best-fit performance superjunction technology

Cost-effective package solution

Best-in-class price/performance ratio

Gerelateerde Links