Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 59 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 994,00

(excl. BTW)

€ 1.202,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 - 2000€ 0,497€ 994,00
4000 +€ 0,472€ 944,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2619
Fabrikantnummer:
IRFR2905ZTRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.39mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead Free

Gerelateerde Links