Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 89 A, 55 V TO-263

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 753,60

(excl. BTW)

€ 912,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 - 800€ 0,942€ 753,60
1600 +€ 0,895€ 716,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2635
Fabrikantnummer:
IRL3705NSTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

89A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

98nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

17.79mm

Length

10.67mm

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)

Capable of being wave-soldered

Gerelateerde Links