Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180N04S4H0ATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 16,26

(excl. BTW)

€ 19,675

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 440 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 3,252€ 16,26
10 - 20€ 3,088€ 15,44
25 - 45€ 2,784€ 13,92
50 +€ 2,764€ 13,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3036
Fabrikantnummer:
IPB180N04S4H0ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has TO263-7-3 package type.

175°C operating temperature

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.