Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180N04S4H0ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 16,01

(excl. BTW)

€ 19,37

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 440 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 3,202€ 16,01
10 - 20€ 3,042€ 15,21
25 - 45€ 2,74€ 13,70
50 +€ 2,724€ 13,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3036
Fabrikantnummer:
IPB180N04S4H0ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has TO263-7-3 package type.

175°C operating temperature

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links