Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 97,10

(excl. BTW)

€ 117,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 275 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 - 25€ 3,884€ 97,10
50 - 100€ 3,69€ 92,25
125 +€ 3,534€ 88,35

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
220-7344
Fabrikantnummer:
AUIRFP4110
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

370W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.87mm

Width

20.7 mm

Height

5.31mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon AUIRFP4110 specifically designed for Automotive applications, this HEXFET power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance

175°C operating temperature

Fast switching

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Gerelateerde Links