Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AUIRFP4110

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 11,69

(excl. BTW)

€ 14,144

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 280 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 5,845€ 11,69
10 - 18€ 5,20€ 10,40
20 - 48€ 4,85€ 9,70
50 - 98€ 4,50€ 9,00
100 +€ 4,21€ 8,42

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
220-7345
Fabrikantnummer:
AUIRFP4110
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-247

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

370W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

15.87mm

Height

5.31mm

Width

20.7 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon AUIRFP4110 specifically designed for Automotive applications, this HEXFET power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance

175°C operating temperature

Fast switching

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Gerelateerde Links