Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode, 170 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB033N10N5LFATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,60

(excl. BTW)

€ 10,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.736 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,30€ 8,60
20 - 48€ 3,78€ 7,56
50 - 98€ 3,575€ 7,15
100 - 198€ 3,31€ 6,62
200 +€ 3,055€ 6,11

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
220-7380
Fabrikantnummer:
IPB033N10N5LFATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

170A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)

High max. pulse current

High continuous pulse current

Rugged linear mode operation

Low conduction losses

Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time

Gerelateerde Links