Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.3 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.145,00

(excl. BTW)

€ 2.595,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,715€ 2.145,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4613
Fabrikantnummer:
AUIRFR4292TRL
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

345mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.39mm

Standards/Approvals

No

Width

6.73 mm

Length

6.22mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance Fast switching

Lead-Free, RoHS Compliant

Gerelateerde Links