Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 13,54

(excl. BTW)

€ 16,38

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5.760 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 80€ 0,677€ 13,54
100 - 180€ 0,528€ 10,56
200 - 480€ 0,495€ 9,90
500 - 980€ 0,461€ 9,22
1000 +€ 0,427€ 8,54

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4689
Fabrikantnummer:
IPN80R2K4P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

6.3W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.7 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.7mm

Height

1.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Gerelateerde Links