Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K4P7SAKMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 11,975

(excl. BTW)

€ 14,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.500 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 100€ 0,479€ 11,98
125 - 225€ 0,368€ 9,20
250 - 600€ 0,344€ 8,60
625 - 1225€ 0,321€ 8,03
1250 +€ 0,297€ 7,43

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4709
Fabrikantnummer:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-251

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

22.7W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.38 mm

Length

6.6mm

Height

6.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Gerelateerde Links