Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 75 eenheden)*

€ 56,625

(excl. BTW)

€ 68,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
75 - 75€ 0,755€ 56,63
150 - 300€ 0,589€ 44,18
375 - 675€ 0,551€ 41,33
750 - 1800€ 0,513€ 38,48
1875 +€ 0,475€ 35,63

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4712
Fabrikantnummer:
IPSA70R600P7SAKMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

43.1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.6mm

Standards/Approvals

No

Height

6.1mm

Width

2.38 mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Gerelateerde Links