Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET, 52 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R045M1XKSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,44

(excl. BTW)

€ 12,63

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 355 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 10,44
5 - 9€ 9,93
10 - 24€ 9,51
25 - 49€ 9,08
50 +€ 8,46

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4865
Fabrikantnummer:
IMZ120R045M1XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

IMZ1

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ 1200 V, 45 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages.

Best in class switching and conduction losses

Benchmark high threshold voltage, Vth > 4 V

0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive

Wide gate-source voltage range

Robust and low loss body diode rated for hard commutation

Gerelateerde Links