Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET, 26 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R090M1HXKSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,46

(excl. BTW)

€ 10,24

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 599 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,46
10 - 24€ 8,03
25 - 49€ 7,68
50 - 99€ 7,35
100 +€ 6,85

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4867
Fabrikantnummer:
IMZ120R090M1HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

IMZ1

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC 1200 V, 90 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages.

Best in class switching and conduction losses

Benchmark high threshold voltage, Vth > 4 V

0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive

Wide gate-source voltage range

Robust and low loss body diode rated for hard commutation

Gerelateerde Links