Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.967,50

(excl. BTW)

€ 2.380,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,787€ 1.967,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4901
Fabrikantnummer:
IPD60R180C7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPD50R

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Forward Voltage Vf

0.9V

Height

2.41mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Enables increasing switching frequency without loss in efficiency

Measure showing key parameter for light load and full load efficiency

Doubling the switching frequency will half the size of magnetic components

Smaller packages for same R DS(on)

Can be used in many more positions for both hard and soft switching topologies

Gerelateerde Links