Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R065C7AUMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,38

(excl. BTW)

€ 12,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 5,19€ 10,38
10 - 18€ 4,52€ 9,04
20 - 48€ 4,205€ 8,41
50 - 98€ 3,945€ 7,89
100 +€ 3,635€ 7,27

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4909
Fabrikantnummer:
IPL60R065C7AUMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

IPD50R

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

180W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Height

1.1mm

Width

8.1 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Gerelateerde Links