Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R022S7XKSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 9,69

(excl. BTW)

€ 11,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 398 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 9,69
10 - 24€ 9,21
25 - 49€ 8,82
50 - 99€ 8,43
100 +€ 7,85

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4924
Fabrikantnummer:
IPP60R022S7XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

IPP60R

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Maximum Power Dissipation Pd

390W

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.36mm

Height

9.45mm

Width

4.57 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon design optimized for low conduction losses, the 600V CoolMOS™ S7 Superjunction MOSFET (IPP60R022S7) in TO-220 features the best RDS(on) x price for low switching frequency applications, such as active bridge rectifiers, inverter stages, in-rush relays, PLCs, HV DC lines, power solid state relays and solid state circuit breakers. The 600V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET achieves higher energy efficiency and reduces BOM expenses.

Minimize conduction losses

Increase energy efficiency

More compact and easier designs

Eliminate or reduce heat sink in solid state design

Lower total cost of ownership (TCO) or bill-of-material (BOM) cost

Gerelateerde Links