Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET, 35 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060C7XKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 14,07

(excl. BTW)

€ 17,024

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 956 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 7,035€ 14,07
10 - 18€ 6,47€ 12,94
20 - 48€ 6,05€ 12,10
50 - 98€ 5,625€ 11,25
100 +€ 5,20€ 10,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4926
Fabrikantnummer:
IPP60R060C7XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

IPP60R

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

162W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.36mm

Standards/Approvals

No

Height

9.45mm

Width

4.57 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Gerelateerde Links