Infineon IPT60R Type N-Channel MOSFET, 75 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R028G7XTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 13,14

(excl. BTW)

€ 15,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 13,14
5 - 9€ 12,48
10 - 24€ 12,23
25 - 49€ 11,43
50 +€ 10,65

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4938
Fabrikantnummer:
IPT60R028G7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

75A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPT60R

Package Type

HSOF

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

391W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

123nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Height

2.4mm

Standards/Approvals

No

Width

10.58 mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G

Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

Gerelateerde Links