Infineon CoolGaN Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IGT60R190D1SATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 15,91

(excl. BTW)

€ 19,25

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 november 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 15,91
10 - 99€ 14,61
100 - 249€ 13,45
250 - 499€ 12,51
500 +€ 12,15

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4638
Fabrikantnummer:
IGT60R190D1SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HSOF

Series

CoolGaN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Cool MOS™ P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Pb-free plating Halogen free mold compound

Gerelateerde Links