STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 100 eenheden)*

€ 1.274,80

(excl. BTW)

€ 1.542,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 16 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
100 +€ 12,748€ 1.274,80

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
224-9997
Fabrikantnummer:
SCTH35N65G2V-7AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Forward Voltage Vf

3.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

15.25mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Width

4.8 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Gerelateerde Links