STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH35N65G2V-7AG

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 14,52

(excl. BTW)

€ 17,57

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 38 stuk(s) vanaf 20 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 14,52
5 - 9€ 13,79
10 - 24€ 12,89
25 - 49€ 12,58
50 +€ 12,25

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
224-9999
Fabrikantnummer:
SCTH35N65G2V-7AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

15.25mm

Width

4.8 mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Gerelateerde Links