Infineon BSS123I Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Depletion, 4-Pin SOT-223

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 114,00

(excl. BTW)

€ 138,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,038€ 114,00
6000 - 12000€ 0,036€ 108,00
15000 +€ 0,035€ 105,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
225-0556
Fabrikantnummer:
BSS123IXTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

190mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

BSS123I

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.7mm

Width

3.7 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon BSS123I is the small signal, small power N- and P-channel MOSFETs provide a wide range of VGS(th) levels and RDS(on) values, as well as multiple voltage classes. This MOSFET have enhancement and depletion-mode options.

PCB-space and cost savings

Gate drive flexibility

Reduced design complexity

Environmentally friendly

High overall efficiency

Gerelateerde Links