Infineon BSS123I Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSS123IXTSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 100 eenheden)*

€ 5,50

(excl. BTW)

€ 6,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
100 - 400€ 0,055€ 5,50
500 - 900€ 0,047€ 4,70
1000 - 2400€ 0,044€ 4,40
2500 - 4900€ 0,04€ 4,00
5000 +€ 0,029€ 2,90

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
225-0557
Artikelnummer Distrelec:
304-39-400
Fabrikantnummer:
BSS123IXTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

190mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

BSS123I

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.63nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.8mm

Width

3.7 mm

Length

6.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon BSS123I is the small signal, small power N- and P-channel MOSFETs provide a wide range of VGS(th) levels and RDS(on) values, as well as multiple voltage classes. This MOSFET have enhancement and depletion-mode options.

PCB-space and cost savings

Gate drive flexibility

Reduced design complexity

Environmentally friendly

High overall efficiency

Gerelateerde Links