Infineon BSS123I Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSS123IXTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 100 eenheden)*

€ 5,60

(excl. BTW)

€ 6,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 600 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 3.900 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
100 - 400€ 0,056€ 5,60
500 - 900€ 0,048€ 4,80
1000 - 2400€ 0,045€ 4,50
2500 - 4900€ 0,041€ 4,10
5000 +€ 0,03€ 3,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
225-0557
Fabrikantnummer:
BSS123IXTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

190mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

BSS123I

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.63nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.7mm

Width

3.7 mm

Height

1.8mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-39-400

The Infineon BSS123I is the small signal, small power N- and P-channel MOSFETs provide a wide range of VGS(th) levels and RDS(on) values, as well as multiple voltage classes. This MOSFET have enhancement and depletion-mode options.

PCB-space and cost savings

Gate drive flexibility

Reduced design complexity

Environmentally friendly

High overall efficiency

Gerelateerde Links