Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 1.929,60

(excl. BTW)

€ 2.335,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 03 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 +€ 2,412€ 1.929,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
228-2841
Fabrikantnummer:
SIHB120N60E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links