Vishay E Type N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,03

(excl. BTW)

€ 12,136

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.944 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,015€ 10,03
20 - 48€ 4,165€ 8,33
50 - 98€ 3,91€ 7,82
100 - 198€ 3,715€ 7,43
200 +€ 3,005€ 6,01

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2873
Fabrikantnummer:
SiHH080N60E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links