Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T5-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,29

(excl. BTW)

€ 14,87

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 792 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 6,145€ 12,29
20 - 98€ 5,96€ 11,92
100 - 198€ 5,71€ 11,42
200 - 498€ 5,405€ 10,81
500 +€ 5,10€ 10,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2845
Fabrikantnummer:
SIHB120N60E-T5-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links