Vishay E Type N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 77,925

(excl. BTW)

€ 94,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 425 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 - 25€ 3,117€ 77,93
50 - 100€ 3,054€ 76,35
125 +€ 2,899€ 72,48

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
228-2863
Fabrikantnummer:
SiHG080N60E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links