Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC SiZ250DT-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.428,00

(excl. BTW)

€ 1.728,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,476€ 1.428,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6873
Fabrikantnummer:
SiZ250DT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FDC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01887Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Width

3.3 mm

Height

0.75mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay SiZ250DT-T1-GE3 is a dual N-channel 60V (D-S) MOSFETs.

TrenchFET Gen IV power MOSFETs

100 % Rg and UIS tested

Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching

characteristics

Gerelateerde Links