Vishay Dual TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ240DT-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.575,00

(excl. BTW)

€ 1.905,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,525€ 1.575,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6852
Fabrikantnummer:
SiZ240DT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAIR 3 x 3S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00805Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Height

0.8mm

Width

3.4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay SiZ240DT-T1-GE3 is a dual N-channel 40V (D-S) MOSFETs.

TrenchFET Gen IV power MOSFETs

Integrated MOSFET half-bridge power stage

100 % Rg and UIS tested

Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching characteristics

Gerelateerde Links