Fabrikantnummer

onsemi UniFET II N-Channel MOSFET, 2 A, 500 V N, 3-Pin SOT-223 FDT4N50NZU

RS-stocknr.:: 229-6326
Fabrikantnummer:: FDT4N50NZU
Fabrikant:: onsemi

onsemi UniFET II N-Channel MOSFET, 2 A, 500 V N, 3-Pin SOT-223 FDT4N50NZU

Subtotaal (4000 eenheden, op een rol van 4000)*

€ 2.144,00

(excl. BTW)

€ 2.596,00

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 24 juni 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per rol*
4000 +	€ 0,536	€ 2.144,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 229-6326
Fabrikantnummer:: FDT4N50NZU
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Series	UniFET II
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	N
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.7mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.7mm
	Height	1.7mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Series UniFET II
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode N
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.7mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.7mm
	Height 1.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FDT4N50NZU

The ON Semiconductor UniFET II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET has the smallest on state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction, flat panel display, TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb−free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.