Infineon CoolGaN Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 8-Pin LSON IGLD60R190D1AUMA3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,73

(excl. BTW)

€ 4,51

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.040 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,73
10 - 24€ 3,54
25 - 49€ 3,47
50 - 99€ 3,25
100 +€ 3,02

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
232-0419
Fabrikantnummer:
IGLD60R190D1AUMA3
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

LSON

Series

CoolGaN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V enhancement-mode power transistor offers fast turn-on and turn-off speed, minimum switching losses and enables simple half-bridge topologies with the highest efficiency. The gallium nitride CoolGaN 600V series is qualified according to a comprehensive GaN-tailored qualification well beyond existing standards. Its improves system efficiency, improves power density and enables higher operating frequency.

Ultrafast switching

No reverse-recovery charge

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Gerelateerde Links