Infineon CoolGaN Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 18.446,00

(excl. BTW)

€ 22.320,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 november 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 9,223€ 18.446,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4637
Fabrikantnummer:
IGT60R190D1SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HSOF

Series

CoolGaN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Cool MOS™ P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Pb-free plating Halogen free mold compound

Gerelateerde Links