Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 52 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R035M1HXKSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 33,80

(excl. BTW)

€ 40,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 190 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 33,80
2 - 4€ 32,12
5 - 9€ 30,76
10 - 24€ 29,41
25 +€ 27,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
233-3487
Fabrikantnummer:
AIMW120R035M1HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Maximum Power Dissipation Pd

228W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Forward Voltage Vf

5.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

16.3mm

Standards/Approvals

No

Height

5.3mm

Width

21.5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolSiC MOSFETs for automotive family has been developed for current and future on board Charger and DC-DC applications in hybrid and electric vehicles. It has 52 A drain current.

Efficiency improvement

Enabling higher frequency

Increased power density

Cooling effort reduction

Gerelateerde Links