Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 33 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R080M1XKSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 13,87

(excl. BTW)

€ 16,78

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 46 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 13,87
5 - 9€ 13,17
10 - 24€ 12,91
25 - 49€ 12,07
50 +€ 11,23

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
233-3491
Fabrikantnummer:
AIMW120R080M1XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

5.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

16.3mm

Width

21.5 mm

Height

5.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolSiC MOSFETs for Automotive family has been developed for current and future on board charger and DC-DC applications in hybrid and electric vehicles. It has 33 A drain current.

Efficiency improvement

Enabling higher frequency

Increased power density

Cooling effort reduction

Gerelateerde Links