ROHM Type N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6511END3TL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 14,64

(excl. BTW)

€ 17,715

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 09 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,928€ 14,64
50 - 95€ 2,51€ 12,55
100 - 245€ 2,134€ 10,67
250 - 995€ 2,086€ 10,43
1000 +€ 1,718€ 8,59

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
235-2694
Fabrikantnummer:
R6511END3TL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

400mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

10.4mm

Length

6.4mm

Width

2.4 mm

Automotive Standard

No

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

Gerelateerde Links