ROHM N-Channel MOSFET, 1.6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R8002KNXC7G

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
235-2697
Fabrikantnummer:
R8002KNXC7G
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

1.6 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

800 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

TO-220FM

Automotive Standard

No

Height

29.87 mm

Length

10.3 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

4.2 Ω

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

28 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Through Hole

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

7.5 nC

Width

5 mm

The ROHM R8xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency. It achieve higher efficiency via high-speed switching. High-speed switching makes it possible to contribute to higher efficiency in PFC and LLC circuits.

Low on-resistance

Ultra fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.