Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 333 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IPT013N08NM5LFATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 5.904,00

(excl. BTW)

€ 7.144,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 18 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 2,952€ 5.904,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
236-1586
Fabrikantnummer:
IPT013N08NM5LFATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

333A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

IPT

Package Type

HSOF-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.4mm

Width

10.58 mm

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 80 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .

Ideal for hot-swap and e-fuse applications

Very low on-resistance RDS(on)

Wide safe operating area SOA

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating, halogen-free

Gerelateerde Links