Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 19 A, 700 V N, 3-Pin TO-263 IPB65R125CFD7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 1.296,00

(excl. BTW)

€ 1.568,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 1,296€ 1.296,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
236-3657
Fabrikantnummer:
IPB65R125CFD7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

N

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS super junction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies. It is ideally suited for industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. It has drain current of 15 A.

Excellent hard-commutation ruggedness

Extra safety margin for designs with increased bus voltage

Enabling increased power density

Outstanding light-load efficiency in industrial SMPS applications

Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications

Price competitiveness compared to alternative offerings in the market

Gerelateerde Links