Fabrikantnummer

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 145 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R065C7ATMA2

RS-stocknr.:: 220-7391
Fabrikantnummer:: IPB65R065C7ATMA2
Fabrikant:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 145 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R065C7ATMA2

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,37

(excl. BTW)

€ 14,968

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

850 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
2 - 8	€ 6,185	€ 12,37
10 - 18	€ 5,32	€ 10,64
20 - 48	€ 4,95	€ 9,90
50 - 98	€ 4,645	€ 9,29
100 +	€ 4,265	€ 8,53

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 220-7391
Fabrikantnummer:: IPB65R065C7ATMA2
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	145A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Series	CoolMOS
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 145A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Series CoolMOS
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB65R065C7ATMA2

The Infineon Cool MOS C7 super junction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

650V voltage

Revolutionary best-in-class R DS(on)/package

Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)

Lower gate charge Qg

Space saving through use of smaller packages or reduction of parts

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.