Infineon SIPMOS® Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126IXTSA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 1,85

(excl. BTW)

€ 2,24

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.340 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,185€ 1,85
100 - 240€ 0,175€ 1,75
250 - 490€ 0,168€ 1,68
500 - 990€ 0,161€ 1,61
1000 +€ 0,13€ 1,30

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
236-4398
Fabrikantnummer:
BSS126IXTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-23

Series

SIPMOS®

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V N-channel small signal depletion-mode MOSFET is Pb-free lead plating, RoHS compliant and halogen-free according to IEC61249-2-21. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications. It has Industry standard qualification level.

High system reliability

Environmentally friendly

PCB space and cost saving

dv/dt rated

Gerelateerde Links