Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127H6327XTSA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 5,575

(excl. BTW)

€ 6,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,223€ 5,58
250 - 600€ 0,154€ 3,85
625 - 1225€ 0,143€ 3,58
1250 - 2475€ 0,134€ 3,35
2500 +€ 0,10€ 2,50

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
753-2832
Fabrikantnummer:
BSS127H6327XTSA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-23

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.65nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.3 mm

Standards/Approvals

No

Length

2.9mm

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links