Vishay SIA Type P-Channel MOSFET, 9 A, 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
- RS-stocknr.:
- 239-5368
- Fabrikantnummer:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*
€ 10,05
(excl. BTW)
€ 12,15
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 3.200 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,402 | € 10,05 |
| 250 - 1225 | € 0,378 | € 9,45 |
| 1250 - 2475 | € 0,342 | € 8,55 |
| 2500 - 6225 | € 0,322 | € 8,05 |
| 6250 + | € 0,302 | € 7,55 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 239-5368
- Fabrikantnummer:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | SIA | |
| Package Type | PowerPAK SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.032Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15.6W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series SIA | ||
Package Type PowerPAK SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.032Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15.6W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
The Vishay P channel MOSFET has drain current of -9 A. It is used for Load switches, battery switches, charger switches
100 % Rg tested
Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
Small footprint area
Low on-resistance
Typical ESD protection: 3000 V (HBM)
Gerelateerde Links
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4371EDJ-T1-GE3
- Vishay SiA4263DJ Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4263DJ-T1-GE3
- Vishay SIA433EDJ-T1-GE3 6-Pin PowerPAK SC-70-6L, Surface
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA5213DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA437DJ-T1-GE3